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▲ 3진법 웨이퍼 반도체를 개발한 김경록 교수(2열 왼쪽 세번째)와 연구팀. /삼성전자

3진법 반도체 웨이퍼가 국내 연구진 손에서 구현됐다. 삼성 미래육성 사업 결실이다.

17일 삼성전자에 따르면 울산과학기술원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교수 연구팀은 최근 세계 최초로 '3진법 금속-산화막-반도체'를 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현해냈다.

3진법 반도체는 현재 쓰이는 2진법 반도체를 더 빠르게 만들면서도 소비 전력을 줄일 수 있는 방법이다. 집적도를 높이면 발생하는 누설전류를 역이용하는 방법을 사용했다.

연구 결과는 15일(현지시간) 영국 학술지 네이처 일렉트로닉스에 발표됐다. 전세계적으로 상용화를 향한 움직임도 활발해질 전망이다.

김 교수 연구팀은 삼성미래기술육성사업 지정테마로 선정돼 지원을 받아 이번 연구를 성공시켰다. 삼성전자 파운드리 사업부 팹 미세 공정을 이용해 3진법 반도체 구현을 검증하기도 했다.

▲ 김경록 교수. /삼성전자

김경록 교수는 "이번 연구결과는 기존 2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해 초절전 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했을 뿐만 아니라, 대면적으로 제작돼 3진법 반도체의 상용화 가능성까지 보여줬다는 것에 큰 의미가 있다"며 "기존 2진법 시스템 위주의 반도체 공정에서 3진법 시스템으로 메모리 및 시스템 반도체의 공정·소자·설계 전 분야에 걸쳐 미래 반도체 패러다임 변화를 선도할 것"이라고 말했다.